바이어스,bias

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[[반도체,semiconductor]] > [[다이오드,diode]] etc 에서 .....pagename: '''[[바이어스,bias]]''' 로 하기로 했음.
MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5]]
[[순바이어스,forward_bias]] or [[순방향바이어스,forward_bias]]
{
순방향 바이어스, 순바이어스, 순방향 전압, - 전류가 잘 흐르는
MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.1]]
 
전류가 지수함수적으로 증가한다.
}
[[역바이어스,reverse_bias]] or [[역방향바이어스,reverse_bias]]
{
역방향 바이어스, 역바이어스, 역방향 전압, - 전류가 흐르지 못하는
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}
 
= 반도체의 bias =
번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
역방향 바이어스 / 순방향 바이어스
 
[[PN접합,p-n_junction]]의 두 단자가 개방된 상태에서는
pn접합의 내부 [[전위장벽]]에 의해 [[운반자,carrier]]가 이동할 수 없어서 pn접합에 전류가 흐르지 않는다.
이 때 DC전압을 적절히 인가하여 pn접합에 흐르는 전류를 조절하는 것을 '''바이어스(bias)'''라 한다.
 
순방향(forward) 바이어스와 역방향(reverse) 바이어스가 있다.
 
 
순방향바이어스 forward_bias
[[애노드,anode]] 전압이 [[캐소드,cathode]] 전압보다 높은 경우
→ 내부 전위장벽을 낮춰 전류가 잘 흐르게 됨
forward_bias_voltage - ?
 
역방향바이어스 reverse_bias
[[캐소드,cathode]] 전압이 [[애노드,anode]] 전압보다 높은 경우
→ 내부 전위장벽을 높여 전류가 흐르지 못하게 됨
reverse_bias_voltage : ?
 
[* Source: 신경욱 http://kocw.net/home/cview.do?cid=c908683a6462eac7 3. 0m]
 
bias가 발생하면 [[pn접합,p-n_junction]]에 어떤 일이 생기는가? -> sungho kim 기초반도체공학 1.4 ... https://www.youtube.com/watch?v=Z6U8maV8THE
mklink { [[pn접합,p-n_junction]] [[공핍영역,depletion_region]] [[공핍층,depletion_layer]] }
tbw: {
순과 역에 대해 energy band diagram [[energy_band]] diagram 필요.
저 때 [[전위장벽,potential_barrier]] = [[장벽전위,barrier_potential]]에 대해 언급 필요.
그리고 역바이어스에 대해서는
항복 breakdown
접합항복 junction_breakdown
그 시점인 항복전압 breakdown_voltage = 절연파괴전압 ... curr at VG
}

[[오차,error]]
[[편차,deviation]]
와 유사성이 있는 느낌인데 정확히 어떤 관계인지 TBW

(추가)
 
MV TO [[VG:바이어스,bias]]



반도체,semiconductor > 다이오드,diode etc 에서 .....pagename: 바이어스,bias 로 하기로 했음.
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5
순바이어스,forward_bias or 순방향바이어스,forward_bias
{
순방향 바이어스, 순바이어스, 순방향 전압, - 전류가 잘 흐르는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.1

전류가 지수함수적으로 증가한다.
}
역바이어스,reverse_bias or 역방향바이어스,reverse_bias
{
역방향 바이어스, 역바이어스, 역방향 전압, - 전류가 흐르지 못하는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.2
}

[edit]

반도체의 bias

번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
역방향 바이어스 / 순방향 바이어스

PN접합,p-n_junction의 두 단자가 개방된 상태에서는
pn접합의 내부 전위장벽에 의해 운반자,carrier가 이동할 수 없어서 pn접합에 전류가 흐르지 않는다.
이 때 DC전압을 적절히 인가하여 pn접합에 흐르는 전류를 조절하는 것을 바이어스(bias)라 한다.

순방향(forward) 바이어스와 역방향(reverse) 바이어스가 있다.


순방향바이어스 forward_bias
애노드,anode 전압이 캐소드,cathode 전압보다 높은 경우
→ 내부 전위장벽을 낮춰 전류가 잘 흐르게 됨
forward_bias_voltage - ?

역방향바이어스 reverse_bias
캐소드,cathode 전압이 애노드,anode 전압보다 높은 경우
→ 내부 전위장벽을 높여 전류가 흐르지 못하게 됨
reverse_bias_voltage : ?

[1]

bias가 발생하면 pn접합,p-n_junction에 어떤 일이 생기는가? -> sungho kim 기초반도체공학 1.4 ... https://www.youtube.com/watch?v=Z6U8maV8THE
mklink { pn접합,p-n_junction 공핍영역,depletion_region 공핍층,depletion_layer }
tbw: {
순과 역에 대해 energy band diagram energy_band diagram 필요.
저 때 전위장벽,potential_barrier = 장벽전위,barrier_potential에 대해 언급 필요.
그리고 역바이어스에 대해서는
항복 breakdown
접합항복 junction_breakdown
그 시점인 항복전압 breakdown_voltage = 절연파괴전압 ... curr at VG
}

오차,error
편차,deviation
와 유사성이 있는 느낌인데 정확히 어떤 관계인지 TBW

(추가)

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바이어스,bias Modified on 10:12 am, November 4, 2023.
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