대충
[[인공지능,artificial_intelligence]], [[퍼셉트론,perceptron]], [[기계학습,machine_learning]] 및
[[통계,statistics]] esp [[추정,estimation]] 에서 ....pagename: [[편향,bias]]

[[반도체,semiconductor]] > [[다이오드,diode]] etc 에서 .....pagename: [[바이어스,bias]]
MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5]]
[[순바이어스,forward_bias]] 순방향 바이어스, 순바이어스, 순방향 전압, - 전류가 잘 흐르는
MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.1]]
[[역바이어스,reverse_bias]] 역방향 바이어스, 역바이어스, 역방향 전압, - 전류가 흐르지 못하는
MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.2]]

= 반도체의 bias =
번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
역방향 바이어스 / 순방향 바이어스

[[PN접합,pn_junction]]의 두 단자가 개방된 상태에서는
pn접합의 내부 [[전위장벽]]에 의해 [[운반자,carrier]]가 이동할 수 없어서 pn접합에 전류가 흐르지 않는다.
이 때 DC전압을 적절히 인가하여 pn접합에 흐르는 전류를 조절하는 것을 '''바이어스(bias)'''라 한다.

순방향(forward) 바이어스와 역방향(reverse) 바이어스가 있다.


순방향바이어스 forward_bias
 [[애노드,anode]] 전압이 [[캐소드,cathode]] 전압보다 높은 경우
 → 내부 전위장벽을 낮춰 전류가 잘 흐르게 됨

역방향바이어스 reverse_bias
 [[캐소드,cathode]] 전압이 [[애노드,anode]] 전압보다 높은 경우
 → 내부 전위장벽을 높여 전류가 흐르지 못하게 됨

[* Source: 신경욱 http://kocw.net/home/cview.do?cid=c908683a6462eac7 3. 0m]

bias가 발생하면 [[pn접합,pn_junction]]에 어떤 일이 생기는가? -> sungho kim 기초반도체공학 1.4 ... https://www.youtube.com/watch?v=Z6U8maV8THE
mklink { [[pn접합,pn_junction]] [[공핍영역,depletion_region]] [[공핍층,depletion_layer]] }
tbw: {
순과 역에 대해 energy band diagram [[energy_band]] diagram 필요.
저 때 [[전위장벽,potential_barrier]] = [[장벽전위,barrier_potential]]에 대해 언급 필요.
그리고 역바이어스에 대해서는
항복 breakdown
접합항복 junction_breakdown
그 시점인 항복전압 breakdown_voltage = 절연파괴전압 ... curr at VG
}

[[오차,error]]
[[편차,deviation]]
와 유사성이 있는 느낌인데 정확히 어떤 관계인지 TBW

(추가)

MV TO [[VG:바이어스,bias]]